副教授
电 & 计算机工程
毗瑟挐Lakdawala
考夫曼大厅217号
诺福克 , 23529年
Dr. Lakdawala在班加罗尔大学获得了学士学位, 印度, in 1972, 印度科学学院的硕士学位, 印度, in 1974, Ph值.D. 1980年毕业于英国利物浦大学电气工程专业. 他曾担任M/s Jyoti有限公司的助理开发工程师 & 仪器变压器事业部D中心. 他于1980年加入利物浦大学电气工程系,担任高级研究助理. 1982年,他加入橡树岭国家实验室原子分子和高压物理小组,担任博士后研究助理. 他的出版物包括关于氟化合物中的电子附着的文章, 压缩气体和真空中的击穿研究, 化合物半导体材料表征与模拟研究, 以及大功率半导体开关. Dr. 拉克达瓦拉于1983年秋天加入bet8体育娱乐入口. 从1988年到1998年,他担任研究生项目主任. 他目前是首席部门顾问和电子与计算机工程副教授.
Ph.D. 利物浦大学电气工程学士(1980年)
M.E. 电气工程,印度科学学院,(1974)
B.E. 班加罗尔大学电气工程学士(1972年)
- 阴极发光电子激活电子束控制体半导体开关
- 主办机构:
- 获得的日期: 1990-04-10
- 阴极发光电子激活电子束控制体半导体开关
- 主办机构:
- 获得的日期: 1989-05-16
- 光控体半导体开关,不需要辐射来维持传导
- 主办机构:
- 获得的日期: 1989-04-25
合同、补助金和赞助研究
- Lakdawala V. K.查图维迪,S.阿肯,O. 皮克林,W. “实施补助金:模拟和可视化增强工程教育”999,741美元. 2005年9月15日至2008年8月31日
- 幸福,我. P.冈萨雷斯,O., Belfore, L. A.拉克达瓦拉,V. K.皮革,J. F.麦金太尔,R. 扎霍利安,S. 计算机辅助互动反馈在工程教育中解决问题的作用$75,000. 联邦. -
- Lakdawala V. K. “联合数字图书馆项目”60,672美元. 1997年10月1日- 1998年9月30日
- 阿尔宾,年代.米尔克,R. R. 和V州的拉克达瓦拉. K. “一种薄膜倾斜传感器的设计与开发”74,181美元. 私人. 1995年11月至1996年4月
- Lakdawala V. K. 和K . Schoenbach. H. “用于脉冲功率应用的大块光控半导体开关(BOSS)技术的发展”680美元,000. 1992年8月1日至1995年7月31日
- Lakdawala V. K.Schoenbach K. H. Gerdin G. “电子束控制半导体开关”19万美元. 1990年1月1日- 1993年8月31日
- Lakdawala V. K. 和K . Schoenbach. H. “激光控制的半导体开关”550,346美元. 1989年7月1日- 1992年6月30日
- Lakdawala V. K. “激光控制的高功率半导体开路开关”15000美元. 1990年7月23日- 1991年1月23日
- Lakdawala V. K. “第三届SDIO/ONR脉冲功率物理会议”$11,470. 1990年4月15日- 1990年7月15日
- Lakdawala V. K. 和K . Schoenbach. H. “半导体开关的制备”3000美元. 1989年4月1日- 1990年3月15日
- Lakdawala V. K. 和K . Schoenbach. H. “电子束控制的半导体开关”529,712美元. 1986年6月1日至1989年5月31日
- Lakdawala V. K. 和K . Schoenbach. H. “激光控制的半导体开关”585,270美元. 1986年5月16日- 1989年5月15日
- 阿尔宾,年代. 和V州的拉克达瓦拉. K. “金刚石薄膜生长和特性的研究”$48,874. 1987年5月16日- 1988年5月15日
- 阿尔宾,年代. 和V州的拉克达瓦拉. K. “激光二极管和材料的电学和光学特性”,$5,005. 1987年1月1日至5月15日
- Lakdawala V. K. "真空中脉冲表面闪络的研究"三千美元. 1985年5月- 1986年5月
- Lakdawala V. K. Radhakrishnan, D. “VLSI易于测试的设计和器件建模”$25,756. 1984年9月至1985年8月
- Lakdawala V. K. 真空中脉冲表面闪络的研究,$39,939. 1984年5月- 1985年5月
文章
- 张,H.格雷,W。. S.冈萨雷斯,O. 和V州的拉克达瓦拉. K. (2008). 中子环境下可恢复数字飞行控制系统的输出跟踪性能. 航空航天与电子系统学报 44 (4).
- 赵,G.乔希,R.拉克达瓦拉,V. K. 和H .哈马森. (2007). 纳米晶ZnO压敏电阻脉冲诱导能量吸收的电热模拟研究. IEEE反式. Deilectr. 和电工实习. 绝缘.
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- Schoenbach K.拉克达瓦拉,V. K.,德语,R. 高氏,S. (1988). 一种光控合闸和开闸开关. 应用物理杂志 63 , pp. 2460.
- Lakdawala V. K. 莫鲁奇,J. (1982). SO2和SO2- o2混合物中的附着、脱离和离子-分子反应. J. phy D. :. 理论物理. 14 , pp. 2015.
- Lakdawala V. K. 莫鲁奇,J. (1980). SF6-N2混合物在低能量范围内的附着系数和离子迁移率的测量.2 - 4.0 eV. J. 理论物理. D::. 理论物理. 13 , pp. 1439.
- Lakdawala V. K. 莫鲁奇,J. (1980). 用蜂群技术测量NF3 -N2和NF3 -稀有气体混合物中的附着系数. J. 理论物理. D::. 理论物理. 13 , pp. 377.
- Moruzzi J. 和V州的拉克达瓦拉. K. (1979). SO2中的电子附着. J. de体格 40 , pp. C7-11.
书的章节
- Ko,年代.拉克达瓦拉,V. K. 陈,H. (1987). He/SF6混合气体辉光放电阴极下降的分析[p]. [349]佩加蒙出版社.
- 猎人,年代.卡特,J.克里斯托弗,L. 和V州的拉克达瓦拉. K. (1984). 用于扩散放电开路开关的混合气体的输运性质和介电强度(pp. 佩加蒙出版社.
会议进行
- 诺埃尔,M.巴萨帕,P.拉克达瓦拉,V. K. 以及弗吉尼亚州的Nimbole. (2008). 基于神经网络的局部放电脉冲高度分布参数预测系统[j]. 331-335)温哥华,不列颠哥伦比亚省,加拿大:IEEE电气绝缘国际研讨会.
- Lakdawala V. K., 诺埃尔,M. M..巴萨帕,P. Jambula, A. (2008). 用于电测量的复杂电极系统的优化(pp. 308-311)温哥华,不列颠哥伦比亚省,加拿大:IEEE电气绝缘国际研讨会.
- Basappa P.拉克达瓦拉,V. K.萨朗,B. 米什拉,A. (2008). 室外绝缘体表面水滴周围电场分布的模拟[p]. 50-54)温哥华,不列颠哥伦比亚省,加拿大:IEEE电气绝缘国际研讨会.
- 乔希,R.赵,G.宋杰. 和V州的拉克达瓦拉. K. (2007). 微结构ZnO压敏电阻器脉冲电压诱导能量吸收和电位失效的电热模拟研究(pp. 温哥华,不列颠哥伦比亚省:IEEE-CEIDP.
- Lakdawala V. K.张,H.冈萨雷斯,O. W .格雷. S. (2006). 高强度中子触发的单事件扰动的马尔可夫统计数据分析. 第38届IEEE东南系统理论研讨会.
- Lakdawala V. K.Zahorian,年代. A..冈萨雷斯,O.库马尔,A. 莱瑟伦,J. F. (2002). 第32届ASEE/IEEE教育前沿会议论文集《bet8九州登录入口》.
- Leathrum J. F.冈萨雷斯,O.Zahorian,年代. A. 和V州的拉克达瓦拉. K. (2001). 工程教育中智能提问系统的知识图谱,美国工程教育学会年会 & 博览会.
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- Schoenbach K.舒尔茨,H.拉克达瓦拉,V. K.金普尔,B.布林克曼,R.,德语,R. 巴拉瓦迪亚,G. (1990). 新型光电开关材料GaAs:Si:Cu - A的深能级结构[p]. 428)德国亚琛:SPIE实习生. 相依. 新型光电器件应用材料的物理概念.
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- Lakdawala V. K. 和K . Schoenbach. (1990). 激光控制半导体开关诺福克,弗吉尼亚州:第三届SDIO/ONR脉冲功率会议.
- Brinkman, R.Schoenbach K.D . Stoudt.拉克达瓦拉,V. K.格尔丁,G. 肯尼迪,M. (1990). 电子束控制的砷化镓开关的锁定效应(pp. 334)圣地亚哥:第十九届功率调制器研讨会.
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- Schoenbach K.拉克达瓦拉,V. K.,高,S.马佐拉,M. 德语是R. (1988). 激光控制半导体合闸和开闸开关(pp. 洛杉矶,加州:SPIE.
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- 阿尔宾,年代.拉克达瓦拉,V. K.威廉姆斯,J.Byvik, C. 和小布恩克里斯蒂亚尼., A. (1988). 金刚石薄膜的激光损伤阈值(pp. 86)洛杉矶,加州:SPIE学报.
- Schoenbach K.拉克达瓦拉,V. K.,高,S.马佐拉,M.D . Stoudt. 史密斯,T。. (1988). 半导体开关的光束和电子束控制(pp. 18)希尔顿海德,SC: IEEE会议. 第十届功率调制器研讨会纪要.
- Lakdawala V. K.Schoenbach K.,高,S. 马佐拉,M. (1988). 通过深电平的光交换(pp. B3)诺福克,弗吉尼亚州:光束和电子束控制半导体开关.
- Gerdin G.Schoenbach K.拉克达瓦拉,V. K. 达拉姆西,A. (1988). 亚纳秒光电子束闭合开关. 3)诺福克,弗吉尼亚州:光学和电子束控制半导体开关研讨会.
- Schoenbach K.拉克达瓦拉,V. K.,德语,R.阿尔宾,S.,高,S. 马佐拉,M. (1987). 一种光控半导体合闸和开闸开关. 2)中国科学院学报(自然科学版).
- Schoenbach K.,德语,R.拉克达瓦拉,V. K.施密特,K. 阿尔宾,S. (1987). 半导体开关的电子束和光控制的概念(pp. 85)洛杉矶,加州:SPIE会议.
- Schoenbach K.,德语,R.拉克达瓦拉,V. K.施密特,K. 阿尔宾,S. (1987). 大块半导体开关的光束和电子束控制概念, CA: SPIE学报.
演讲
- Lakdawala V. K. Gerdin G. (二零零二年四月十二日). 部分放电数字采集系统的研制 & Comp Engg., ODU.
- Stoudt D.布林克曼,R.瓦哈拉,L. L.Schoenbach K. 和V州的拉克达瓦拉. K. (1989年5月). GaAs衬底混沌振荡的研究[j]. Am. 理论物理. Soc., APS春季会议,华盛顿特区.
- 2001年:工程学院优秀教师指导奖 & 技术,ODU
- 1986:领导奖,Eta Kappa Nu, Eta Epsilon分会
- 1974: N.R. 印度科学研究所康巴提纪念奖
- 1972年:获班加罗尔大学金奖
- 1972年:国家教育奖 & 青年服务部. 来自印度卡纳塔克邦
- 1971年:印度工程师学会奖